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元器件采购网 > P-1185页 > 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式PUMB1,115

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PUMB1,115

6-TSSOP,SC-88,SOT-363 NXP Semiconductors 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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PUMB1,115参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
说明:TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT363
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):22k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):150mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):1µA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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